Του University of Illinois στο Σικάγο College της οδοντιατρικής χρησιμοποιώντας ένα πρόγραμμα υπολογιστή, για να βρείτε την τέλεια τόπου στο στόμα για να τοποθετήσετε οδοντικά εμφυτεύματα.
«Υπάρχουν πολλούς αγνώστους παράγοντες που είναι κρυφές μέχρι τη στιγμή της χειρουργικής όταν εκτίθεται το κόκαλο,» λέει Dr. Joseph Califano, διευθυντή προγράμματος periodontics. "Παραδοσιακά κάνουμε μια εντομή για να εντοπίσετε το κόκαλο και θα αντιδράσουμε ό, τι εμείς Εύρεση και λήψη αποφάσεων, εκείνη την εποχή. Εμείς δεν έχουν πάντα μια ολοκληρωμένη εικόνα."
Τον παραδοσιακό τρόπο είναι συχνά καλύτερα δυνατά, Califano είπε, επειδή πρόκειται για επιτόπια λήψης αποφάσεων κατά τη διάρκεια της διαδικασίας.
Μέσω της χρήσης του λογισμικού SimPlant προγραμματισμού, UIC periodontal Σχολή και οι κάτοικοι να αναθεωρήσετε το ιδανικό προσθετική σχέδιο για ένα δοντιών, γέφυρα ή άλλες οδοντιατρικές αποκατάσταση, όπως φαίνεται σε μια σάρωση 3-δ τομογραφία, το οποίο επίσης περιέχει το λειτουργικό πληροφορίες σε μια αλληλεπιδραστική ρύθμιση, Califano είπε.
"Μας να τοποθετήσετε εμφυτεύματα σχεδόν σε δοκιμαστική βάση,", είπε. "Αυτό μας επιτρέπει να επανεξετάσει πολλές επιλογές και να αναπτύξει ένα ιδανικό χειρουργικά σχέδιο που υποστηρίζει πλήρως το προσθετική σχέδιο που έχουμε αναπτύξει. Μπορούμε να εξαλείψουμε περισσότερες οι άγνωστοι της εξισώσεως, που διευκολύνει τόσο ασθενών διαβούλευσης όσο και η εκπαιδευτική διαδικασία, δεδομένου ότι η θεραπεία αποφάσεις preoperatively."
Periodontists συνήθως χρησιμοποιούν ακτίνων Χ για την ανάπτυξη σχεδίων για οδοντικά εμφυτεύματα, είπε Dr. Alan Rosenfeld, κλινική καθηγητής periodontics, που είναι επίσης σε ιδιωτικό ιατρείο. Ωστόσο, είπε ότι υπάρχουν περιορισμοί όσον αφορά αυτή την προσέγγιση.
"Ακτίνων Χ δεν είναι όσο ακριβές όπως CT σαρώσεις," είπε Rosenfeld "και δεν θα επιτρέψουν για τη μεταβίβαση των προσθετική πληροφορίες για το radiograph. Επίσης, αποτυγχάνει να προσδιορίσετε προσθετική αποτελέσματα και δεν επιτρέπει για τη μεταβίβαση της prosthetically σχετικές πληροφορίες να καθοδηγήσει ο χειρουργός κατά τη στιγμή της τοποθέτησης εμφύτευμα."